包郵漫談光通信·芯片卷

作者：匡國華著

出版社：上海科學(xué)技術(shù)出版社出版時間：2023-01-01

開本： 16開 頁數(shù)： 358

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版權(quán)信息
本書特色
內(nèi)容簡介
目錄
作者簡介

漫談光通信·芯片卷版權(quán)信息

ISBN：9787547860359
條形碼：9787547860359 ; 978-7-5478-6035-9
裝幀：一般膠版紙
冊數(shù)：暫無
重量：暫無
所屬分類：
工業(yè)技術(shù)
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電子通信

漫談光通信·芯片卷本書特色

通俗、詼諧地解讀光通信領(lǐng)域光芯片及其相關(guān)專業(yè)知識與技術(shù)

漫談光通信·芯片卷內(nèi)容簡介

光通信作為一個新興產(chǎn)業(yè)，逐漸成為現(xiàn)代通信的主要支柱之一。本書采用通俗詼諧的語言，采用大量創(chuàng)意插圖，深入淺出地向讀者介紹光通信領(lǐng)域中光芯片相關(guān)理論及其技術(shù)知識，同時對光芯片及相關(guān)產(chǎn)品的應(yīng)用、市場、歷史、發(fā)展等進(jìn)行了多角度解讀。

漫談光通信·芯片卷目錄

半導(dǎo)體激光器激光器2 激光器小信號頻響24 DFB激光器等效電路模型26 FP，DFB，DBR的區(qū)別30 【5G光模塊】——FP激光器的模式分配噪聲35 DFB雙峰對光通信系統(tǒng)的影響37 DFB激光器雙峰40 DFB直調(diào)激光器的發(fā)展方向41 相干光模塊中的窄線寬激光器46 用于突發(fā)模式下一代PON的MEL激光器雙電級DFB47 非制冷DWDM激光器50 FP和DBR的區(qū)別53 DFB的發(fā)展史58 DFB的光柵60 雙腔DFB激光器62 區(qū)分FP，DFB，DML，EML，VCSEL65 激光器發(fā)散角優(yōu)化結(jié)構(gòu)69 為什么激光器的BH結(jié)構(gòu)需要多次外延71 背光74 為什么不能“輕易”把GPON ONU的DFB激光器換成便宜的FP76 區(qū)分DFB，DML，EML80DBR激光器82 DFB激光器的增益耦合光柵與折射率耦合光柵83 多縱模激光器的傳輸距離87 單縱模激光器的傳輸距離89 FP與DFB的波長溫度漂移91 區(qū)分電光效應(yīng)、光電效應(yīng)與電致發(fā)光效應(yīng)94 相干通信歷程、可調(diào)諧光源標(biāo)準(zhǔn)發(fā)展史97 可調(diào)諧激光器102 外腔激光器104 DML的啁啾與補償激光器的啁啾、展寬與色散108 啁啾110 直調(diào)激光器啁啾管理的幾個方案113 啁啾光柵與色散補償115 利用微環(huán)做DML的啁啾管理117 直調(diào)激光器的傳輸并不是距離越長TDP就一定越大121 PT對稱光柵122 Avago的高速VCSEL124 MEMS VCSEL128 比VCSEL小100倍的BICSEL130 Finisar VCSEL 用OM4光纖可傳輸2.3km的56Gb/s PAM4信號134 超薄激光器135 鈮酸鋰調(diào)制器電光調(diào)制器140 鈮酸鋰調(diào)制器141 為何鈮酸鋰調(diào)制器那么長146 鈮酸鋰薄膜制備148 電吸收調(diào)制器EAM電吸收調(diào)制器等效模型154 為何探測器和電吸收調(diào)制器，加反電壓，而不是正電壓157 電吸收調(diào)制器的吸收波長紅移159 非制冷單波100Gb/s EML164 EML更容易實現(xiàn)更大的消光比167 電吸收調(diào)制激光器EML169 為什么EML要加一個TEC171 調(diào)制器熱光調(diào)制176 PN結(jié)載流子耗盡型硅基調(diào)制器178 光調(diào)制器的載流子耗盡型與注入型的區(qū)別181 光探測器探測器186 探測器響應(yīng)度與光模塊靈敏度之間的關(guān)系196 幾種探測器的結(jié)構(gòu)198 垂直型與波導(dǎo)型PIN202 平衡探測器204 探測器速率與結(jié)電容207 探測器結(jié)構(gòu)與響應(yīng)度、靈敏度211 探測器材料與截止波長214 探測器材料之Si，GeSi，GaAs217 探測器響應(yīng)度下降原因218APD的蓋革模式220 APD蓋革模式的應(yīng)用223 光電二極管臺面結(jié)構(gòu)225 半導(dǎo)體工藝GaAs襯底230 激光器襯底——InP單晶233 激光器中含鋁材料238 為什么激光器的熱燒蝕，更容易發(fā)生在腔表面244 激光器有源材料晶格缺陷與可靠性，GaAs比InP更難246 激光器晶格缺陷之線位錯248 激光器襯底生長技術(shù)： VGF垂直梯度凝固法250 分子束外延253 半導(dǎo)體工藝中的“退火”257 激光器材料生長——張應(yīng)變和壓應(yīng)變260 衍射極限264 電子束光刻EBL269 納米壓印271 激光器波導(dǎo)結(jié)構(gòu)制作：干法刻蝕與濕法刻蝕273 MACOM激光器垂直端面刻蝕280 DFB激光器的倒臺波導(dǎo)283 磁控濺射——光芯片電極制作287 CBN立方氮化硼291 脈沖激光濺射292 電子束蒸鍍——光芯片電極制作296 半導(dǎo)體激光器歐姆接觸以及歐姆接觸與肖特基接觸的區(qū)別299 激光器減薄，與臺階儀厚度檢測原理304 激光器端面鈍化307 激光器從材料到芯片310激光器晶圓劃片與裂片314 特殊波導(dǎo)制作與激光冷加工319 半導(dǎo)體物理與器件結(jié)構(gòu)電芯片的材料Si，GeSi和GaAs324 半導(dǎo)體材料，P型、N型半導(dǎo)體與PN結(jié)328 FET，MOSFET，MESFET，MODFET330 三星3nm全環(huán)柵結(jié)構(gòu)335 5nm晶體管技術(shù)之爭GAA FET，IMEC 8nm納米線337 晶體管之BJT，F(xiàn)ET，CMOS，HBT，HEMT340 電芯片的鍺硅與CMOS區(qū)別343 MOSFET與符號344 縮略語349'

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漫談光通信·芯片卷作者簡介

匡國華，籍貫河北省石家莊市。畢業(yè)于電子科技大學(xué)，曾就職于華中光電技術(shù)研究所和中興通訊，光通信行業(yè)從業(yè)近二十年，2015年創(chuàng)辦光通信行業(yè)自媒體“光通信女人”，創(chuàng)號4年，平均年閱讀超過300萬人次，漸成為行業(yè)內(nèi)主要的技術(shù)、市場、咨詢交流平臺。2016年創(chuàng)辦菲魅通信技術(shù)有限公司，為光通信行業(yè)供應(yīng)鏈、人才特聘、共享資源提供服務(wù)。

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