前言第1章 緒論1.1 微電子科學技術的發展歷程1.1.1 晶體管的發明1.1.2 集成電路的發展歷史及規律1.1.3 我國微電子技術的發展概況1.2 微電子學的特點習題一第2章 半導體物理與器件基礎2.1 半導體的特性2.1.1 半導體材料2.1.2 半導體的晶格結構2.1.3 半導體能帶結構2.1.4 半導體的導電性2.2 半導體中的載流子2.2.1 本征半導體2.2.2 雜質半導體2.2.3 半導體中載流子的統計分布2.3 PN結2.3.1 平衡狀態下的PN結2.3.2 PN結的單向導電性2.3.3 PN結的伏一安特性2.3.4 PN結的擊穿2.3.5 PN結電容2.3.6 異質PN結2.4 雙極型晶體管2.4.1 雙極型晶體管的基本結構2.4.2 雙極型晶體管的直流放大原理2.4.3 雙極型晶體管的直流特性2.4.4 雙極型晶體管的反向電流和擊穿電壓2.4.5 雙極型晶體管的頻率特性2.5 MOS場效應晶體管2.5.1 MOS場效應晶體管的基本結構2.5.2 MOS場效應晶體管的工作原理2.5.3 MOS場效應晶體管的直流特性曲線習題二第3章 集成電路基礎3.1 概述3.1.1 集成電路的分類3.1.2 集成電路的發展史3.1.3 集成電路制造簡介3.2 雙極型晶體管集成電路基礎3.2.1 平面雙極型晶體管的結構3.2.2 雙極型晶體管模擬集成電路3.2.3 雙極型晶體管數字集成電路3.3 場效應晶體管集成電路基礎3.3.1 集成電路中的場效應晶體管3.3.2 MOS集成電路3.3.3 CMOS集成電路3.3.4 BICMOS集成電路習題三第4章 集成電路制造工藝4.1 工藝技術4.2 基本工藝步驟4.3 CMOS集成電路的工藝流程4.4 氧化4.4.1 SiO2的性質及其作用4.4.2 熱氧化形成SiO2的機理4.4.3 SiO2的制備方法4.4.4 高溫爐設備4.4.5 熱氧化工藝4.5 光刻4.5.1 光刻工藝簡介4.5.2 幾種常見的光刻方法4.5.3 超細線條光刻技術4.6 刻蝕4.7 擴散4.7.1 擴散的基本原理4.7.2 擴散工藝4.8 離子注入4.8.1 離子注入簡介4.8.2 離子注入的原理4.9 化學氣相淀積4.9.1 化學氣相淀積的方法4.9.2 單晶硅的化學氣相淀積(外延)4.9.3 二氧化硅的化學氣相淀積..4.9.4 多晶硅的化學氣相淀積4.9.5 氮化硅的化學氣相淀積4.10 接觸與互連4.10.1 金屬膜的形成方法4.10.2 多層互連4.11 隔離技術4.12 封裝技術習題四第5章 集成電路設計5.1 集成電路設計概述5.2 集成電路設計流程5.2.1 功能設計5.2.2 邏輯與電路設計5.2.3 版圖設計5.3 集成電路設計方法5.3.1 全定制設計方法5.3.2 半定制設計方法5.4 專用集成電路設計方法5.4.1 標準單元設計方法5.4.2 門陣列設計方法5.4.3 可編程邏輯電路設計方法5.5 可測性設計5.5.1 可測性設計的重要性5.5.2 可測性設計簡介5.6 集成電路設計舉例:二進制并行加法器習題五第6章 集成電路設計的EDA系統6.1 集成電路設計的EDA系統概述6.2 VHDL及模擬6.2.1 VHDL概述6.2.2 VHDL的建模機理6.2.3 VHDL的模擬算法6.2.4 VHDL的模擬環境6.3 綜合6.3.1 高級綜合6.3.2 邏輯綜合6.4 邏輯模擬6.4.1 邏輯模擬概述6.4.2 邏輯模擬的建模機理6.4.3 邏輯模擬的算法6.5 電路模擬6.5.1 電路模擬概述6.5.2 電路模擬的基本功能6.5.3 電路模擬軟件的基本結構6.5.4 電路描述6.5.5 開關級模擬6.6 時序分析和混合模擬6.6.1 時序分析的基本原理6.6.2 混合模擬6.7 版圖設計的EDA工具6.7.1 版圖設計的基本概念6.7.2 版圖的自動設計6.7.3 版圖的半自動設計6.7.4 版圖的人工設計6.7.5 版圖檢查與驗證6.7.6 制版技術6.8 器件模擬6.8.1 器件模擬的基本概念6.8.2 器件模擬的基本原理6.8.3 器件模擬的功能及模型6.8.4 器件模擬的輸入文件6.9 工藝模擬6.9.1 工藝模擬的基本概念6.9.2 工藝模擬的基本內容6.9.3 工藝模擬的輸入文件6.10 計算機輔助測試技術習題六第7章 系統芯片設計7.1 SOC基本概述7.2 SOC關鍵技術及目前面臨的主要問題7.2.1 軟硬件協同設計7.2.2 IP復用技術7.2.3 SOC的驗證7.2.4 SOC的測試習題七附錄附錄A 微電子學領域大事記附錄B 微電子學常用縮略語參考文獻